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技術(shù)文獻(xiàn)

湘潭湘儀多功能快速導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀(瞬態(tài)平面熱源法、HotDisk法)設(shè)備參考標(biāo)準(zhǔn)

發(fā)布時(shí)間:2019/7/8 10:20:19 點(diǎn)擊次數(shù):726次

一、DRE-III多功能快速導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀(瞬態(tài)平面熱源法、HotDisk法)概述:
       本導(dǎo)熱儀采用瞬態(tài)平面熱源法,基于TPS瞬態(tài)平面熱源技術(shù),用Hot Disk探頭,專(zhuān)用高精度單元儀表的測(cè)試與通迅技術(shù),利用計(jì)算機(jī)高速數(shù)據(jù)處理技術(shù)對(duì)探頭進(jìn)行快速數(shù)據(jù)采集、通過(guò)完善的數(shù)學(xué)模型快速計(jì)算,能迅速測(cè)試出準(zhǔn)確可靠的結(jié)果;專(zhuān)業(yè)儀表使整機(jī)可靠性特高,操作方便,維護(hù)迅速方便。

二、DRE-III多功能快速導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀(瞬態(tài)平面熱源法、HotDisk法)
儀器的優(yōu)點(diǎn)有:
1、直接測(cè)量熱傳播,可以節(jié)約大量的時(shí)間;
2、不會(huì)和靜態(tài)法一樣受到接觸熱阻的影響;
3、無(wú)須特別的樣品制備,對(duì)固態(tài)材料只需有一個(gè)相對(duì)平整的樣品表面。具有測(cè)量速度快、適用范圍寬以及能夠成功避免在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中自然對(duì)流的影響等優(yōu)點(diǎn),是目前比較流行的測(cè)試方法。
     
三、DRE-III多功能快速導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀(瞬態(tài)平面熱源法、HotDisk法)設(shè)備參考標(biāo)準(zhǔn):ISO 22007-2 2008。
    測(cè)試材料: 金屬、陶瓷、合金、導(dǎo)熱硅脂、硅膠、硅橡膠、巖土、巖石、聚合物、紙、織物、泡沫塑料、混凝土、復(fù)合板材、紙蜂窩板等固體、粉末、液體、糊狀、涂層、薄膜、各向異性材料等的導(dǎo)熱系數(shù)、導(dǎo)溫系數(shù)(熱擴(kuò)散系數(shù))和比熱容、蓄熱系數(shù)及熱阻。

 四、
DRE-III多功能快速導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀(瞬態(tài)平面熱源法、HotDisk法)主要技術(shù)參數(shù):
1、導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定范圍:0.0001~100 w/(m.k),分辯率為0.00001w/(m.k);
2、熱擴(kuò)散系數(shù)(導(dǎo)溫系數(shù))范圍:0.1~100 m2/s;
3、蓄熱系數(shù)范圍:0.1~30 w/(m2.k);
4、比熱容范圍:0.1~5 kJ/(kg.℃);
5、熱阻范圍:0.5~0.000005 mm2.k/w;
6、溫度測(cè)量精度:≤0.001℃;
7、測(cè)量相對(duì)誤差:≤3%;
8、重復(fù)性誤差:≤ 3%;          
9、測(cè)時(shí)間:1~120 秒。
10、試樣測(cè)試溫度范圍-40~130℃;標(biāo)準(zhǔn)配置:室溫。可根據(jù)客戶要求選配各種高、低溫度段控制箱(-40130℃)或真空狀態(tài)下的測(cè)試狀態(tài),合同約定,費(fèi)用另計(jì);
11、探頭配置:標(biāo)準(zhǔn)配置:直徑Φ15mm。可根據(jù)客戶要求選配探頭直徑:Φ15mm、Φ7.5mm、或同時(shí)配置,合同約定,費(fèi)用另計(jì);
12、試樣要求:
   a、固體塊狀或圓形、方形、異形樣品,無(wú)須特別制備,只需一個(gè)相對(duì)平整的樣品表面,配有專(zhuān)用試樣裝夾裝置。Φ7.5mm探頭所測(cè)樣品最小尺寸(15x15x3.75mm), Φ15mm探頭所測(cè)樣品最小尺寸 (30x30x7.5mm)。
   b、對(duì)粉狀、糊狀、液狀物質(zhì)無(wú)特殊要求,配有專(zhuān)用試樣測(cè)試盒。
   c、所測(cè)較薄材料,可將樣品進(jìn)行疊加測(cè)試。
13、采用全自動(dòng)測(cè)試軟件,快速準(zhǔn)確對(duì)樣品進(jìn)行試驗(yàn)過(guò)程參數(shù)分析和報(bào)告輸出。
14、電源:AC 220V±10%,50/60 Hz, 整機(jī)功率:<500w;

五、DRE-III多功能快速導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀(瞬態(tài)平面熱源法、HotDisk法)探頭技術(shù)指標(biāo):
1、加熱材料:金屬鎳;
2、使用溫度:-50~150℃;
3、最大功率:20w;
4、最大電壓:20V;
5、最大電流:1A;
6、電阻:10Ω左右,依探頭上標(biāo)注阻值為準(zhǔn);
7、
鎳絲規(guī)格:厚度0.01mm,熱絲寬度:0.35±0.03mm;熱絲間距:0.35±0.03mm ;
8、保護(hù)層材料:聚酰亞胺薄膜(Kapton);單層厚度:0.06mm;
9、探頭直徑:Φ15mm,Φ7.5mm兩種。
10、探頭總厚度(包括粘結(jié)層厚度)0.07±0.02mm。
 

原創(chuàng)作者:湘潭湘儀儀器有限公司

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